WSD100N15DN56G Canale N 150 V 100 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD100N15DN56G è 150 V, la corrente è 100 A, la resistenza è 6 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Alimentatori medicali MOSFET, MOSFET PD, MOSFET per droni, MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per grandi elettrodomestici e MOSFET per utensili elettrici.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione Drain-Source | 150 | V |
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V |
| ID | Corrente di scarico continua, VGS@ 10 V(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | Corrente di drenaggio pulsata | 360 | A |
| EAS | Energia da valanga a impulso singolo | 400 | mJ |
| PD | Dissipazione di potenza totale...C=25℃) | 160 | W |
| RθJA | Resistenza termica, giunzione-ambiente | 62 | ℃/W |
| RθJC | Resistenza termica, custodia di giunzione | 0,78 | ℃/W |
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 175 | ℃ |
| TJ | Intervallo di temperatura della giunzione operativa | da -55 a 175 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di rottura drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Resistenza on-source di drenaggio statico2 | VGS=10 V, ID=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(esimo) | Tensione di soglia del gate | VGS=VDS, IOD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio | VDS=100 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente di dispersione gate-source | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Addebito totale al cancello | VDS=50 V, VGS=10 V, ID=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | Tariffa gate-source | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | --- | 18 | --- | ||
| Td(acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VDD=50 V,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | Ora di alzarsi | --- | 98 | --- | ||
| Td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | --- | 55 | --- | ||
| Tf | Tempo di caduta | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | Capacità di ingresso | VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| Cos | Capacità di uscita | --- | 1730 | --- | ||
| CRSS | Capacità di trasferimento inverso | --- | 195 | --- |
