WSD100N06GDN56 MOSFET WINSOK 60V 100A DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET WINSOK
La tensione del MOSFET WSD100N06GDN56 è 60 V, la corrente è 100 A, la resistenza è 3 mΩ, il canale è a canale N e il package è DFN5X6-8.
Aree di applicazione del MOSFET WINSOK
Alimentatori medicali MOSFET, MOSFET PD, MOSFET per droni, MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per grandi elettrodomestici e MOSFET per utensili elettrici.
WINSOK MOSFET corrisponde ad altri numeri di materiale di marca
MOSFET AOS AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS MOSFET a semiconduttore PDC692X.
Parametri MOSFET
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità | ||
| VDS | Tensione Drain-Source | 60 | V | ||
| VGS | Tensione gate-source | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Corrente di scarico continua | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Corrente di drenaggio pulsata | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Massima dissipazione di potenza | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Corrente di valanga, impulso singolo | 45 | A | ||
| EAS3 | Energia da valanga a impulso singolo | 101 | mJ | ||
| TJ | Temperatura massima di giunzione | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | da -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Resistenza termica Giunzione all'ambiente | Stato stazionario | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Giunzione a resistenza termica al case | Stato stazionario | 1.5 | ℃/W | |
| Simbolo | Parametro | Condizioni | minimo | Tip. | Massimo. | Unità | |
| Statico | |||||||
| V(BR)DSS | Tensione di rottura drain-source | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corrente di assorbimento della tensione di gate zero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente di dispersione del gate | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Sulle caratteristiche | |||||||
| VGS(TH) | Tensione di soglia del gate | VGS = VDS, IDS = 250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(acceso)2 | Resistenza allo stato attivo della sorgente di drenaggio | VGS = 10 V, ID = 20 A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 15 A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Commutazione | |||||||
| Qg | Addebito totale al cancello | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Carica acida | 16 | nC | ||||
| Qgd | Tassa di scarico del gate | 4.0 | nC | ||||
| td (acceso) | Tempo di ritardo all'accensione | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Accendi il tempo di salita | 8 | ns | ||||
| td(spento) | Tempo di ritardo allo spegnimento | 50 | ns | ||||
| tf | Disattiva il tempo autunnale | 11 | ns | ||||
| Rg | Resistenza all'attacco | VGS=0 V, VDS=0 V, f=1 MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dinamico | |||||||
| Ciss | Nella capacità | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Cos | Capacità in uscita | 1522 | pF | ||||
| Crs | Capacità di trasferimento inverso | 22 | pF | ||||
| Caratteristiche e valori nominali massimi dei diodi drain-source | |||||||
| IS1,5 | Corrente di sorgente continua | VG=VD=0V, forzatura della corrente | 55 | A | |||
| ISM | Corrente di sorgente pulsata3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Tensione diretta del diodo | ISD = 1 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempo di recupero inverso | ISD=20A, dlSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| Qrr | Tassa di recupero inverso | 33 | nC | ||||
