NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET a canale N DFN5X6-8
Panoramica del prodotto MOSFET
Onsemi NTMFS6B14N
VISHAY SiR84DP SiR87ADP
INFINEON IR BSC19N1NS3G
TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH
numero materiale corrispondente
La tensione BVDSS di WINSOK WSD60N10GDN56 FET è 100 V, la corrente è 60 A, la resistenza è 8,5 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5X6-8.
Campi di applicazione dei MOSFET
MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per motori, MOSFET per droni, MOSFET per cure mediche, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.
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