NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET a canale N DFN5X6-8

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NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH MOSFET a canale N DFN5X6-8

breve descrizione:

Numero di parte:NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH

Canale:Canale N

Pacchetto:DFN5X6-8


Dettagli del prodotto

Applicazione

Tag dei prodotti

Panoramica del prodotto MOSFET

Onsemi NTMFS6B14N

VISHAY SiR84DP SiR87ADP

INFINEON IR BSC19N1NS3G

TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH

numero materiale corrispondente

La tensione BVDSS di WINSOK WSD60N10GDN56 FET è 100 V, la corrente è 60 A, la resistenza è 8,5 mΩ, il canale è a canale N e il pacchetto è DFN5X6-8.

Campi di applicazione dei MOSFET

MOSFET per sigarette elettroniche, MOSFET per ricarica wireless, MOSFET per motori, MOSFET per droni, MOSFET per assistenza medica, MOSFET per caricabatterie per auto, MOSFET per controller, MOSFET per prodotti digitali, MOSFET per piccoli elettrodomestici, MOSFET per elettronica di consumo.


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