La tecnologia di ricarica rapida, come parte fondamentale delle moderne apparecchiature elettroniche, si sta rapidamente sviluppando ed evolvendo.Spinti dal mercato della ricarica rapida, settori come quello degli smartphone e dei veicoli elettrici richiedono sempre più soluzioni di ricarica veloci ed efficienti.L’innovazione nella tecnologia di ricarica rapida non si concentra solo sul miglioramento della velocità di ricarica, ma enfatizza anche la sicurezza.Guardando al futuro, la tecnologia di ricarica rapida sarà combinata con la ricarica wireless e una tecnologia delle batterie più efficiente per ottenere un salto di qualità e offrire agli utenti un’esperienza di ricarica più comoda ed ecologica.Con lo sviluppo della tecnologia e l’espansione del mercato, si prevede che il settore della ricarica rapida continuerà a mantenere una rapida crescita.
Quando parliamo dell'applicazione diMOSFETnella tecnologia di ricarica rapida, in realtà ci sono diversi grattacapi.
Innanzitutto, poiché la ricarica rapida richiede una grande corrente, ilMOSFETsi surriscalda molto e come affrontare questo caldo diventa un grosso problema.Poi ci sono anche sfide legate all’efficienza.Quando si passa rapidamente, il MOSFET perde facilmente parte della sua energia, il che influisce sull'efficienza di carica.Inoltre, si spera che le apparecchiature di ricarica rapida siano le più piccole possibile, ma ciò richiede che il MOSFET sia piccolo e che affronti anche il problema del calore.Poiché il MOSFET commuta rapidamente, potrebbe interferire con altre apparecchiature elettroniche, il che costituisce anche un problema.Infine, l'ambiente di ricarica rapida presenta requisiti elevati in termini di tensione e corrente di resistenza dei MOSFET, che rappresentano un test per le loro prestazioni.Lavorare a lungo in questo ambiente può anche incidere sulla loro durata e affidabilità.In breve, sebbene il MOSFET sia fondamentale per la ricarica rapida, deve affrontare molte sfide.
WINSOKMOSFET potrebbe essere in grado di aiutarti a risolvere i problemi di cui sopra.I principali modelli di applicazione dei MOSFET WINSOK nella ricarica rapida sono:
| Numero di parte | Configurazione | Tipo | VDS | ID (A) | VGS(esimo)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacchetto | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Massimo. | minimo | Tip. | Massimo. | Tip. | Massimo. | (pF) | ||||
| Separare | N-Cap | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Separare | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Separare | N-Cap | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Separare | N-Cap | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Separare | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Separare | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Cap | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Separare | N-Cap | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Altri numeri di materiale del marchio corrispondenti al MOSFET WINSOK di cui sopra sono:
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSD3050DN sono: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8-3 0MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEMPE5G6EA.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSD30L40DN sono: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP6020 sono: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP16N10 sono: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WSP4435 sono: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, F DS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microelettronica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconduttore PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP4407 sono: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3L LH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconduttore PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WSP4606 sono: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901C SK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconduttore PDS3710. ELETTRONICA DINTEK DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSR80N10 sono: AOS AOTF290L.Onsemi, FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON, IR IPP086N10N3 G, IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS.TOSHIBA T K100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconduttore PDP0966.
Orario di pubblicazione: 28 novembre 2023
