I power bank portatili (noti anche come caricabatterie portatili) sono ampiamente utilizzati per vari dispositivi elettronici. Con i progressi nella tecnologia delle batterie, si prevede che i futuri power bank saranno più leggeri, avranno una capacità maggiore e offriranno velocità di ricarica più elevate. Anche le funzionalità intelligenti e la multifunzionalità saranno aree di sviluppo chiave per soddisfare la crescente domanda di soluzioni energetiche mobili.
I MOSFET nei power bank portatili (caricabatterie portatili) devono affrontare sfide in termini di efficienza e durata. I problemi principali includono perdita di potenza, gestione insufficiente del calore e problemi di affidabilità sotto carichi elevati, che limitano le prestazioni e la durata dei power bank.WINSOKMOSFET potrebbe essere in grado di aiutarti a risolvere i problemi di cui sopra.
Applicazioni MOSFET di media e bassa tensione WINSOK negli alimentatori mobili, principali modelli di applicazione:
Numero di parte | Configurazione | Tipo | VDS | ID (A) | VGS(esimo)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacchetto | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Massimo. | minimo | Tip. | Massimo. | Tip. | Massimo. | (pF) | ||||
Separare | N-Cap | 30 | 5.6 | 0,5 | 0,8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
Separare | N-Cap | 20 | 5.9 | 0,3 | 0,5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
Separare | N-Cap | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
Separare | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 | SOT-23-3L | |
Separare | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1.3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
Separare | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1,5 | -2,5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
Separare | N-Cap | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | SOP-8 | |
Doppio+ESD | N-Cap | 20 | 7.2 | 0,5 | 0,7 | 1.2 | - | - | 615 | SOP-8 | |
Doppio+ESD | N-Cap | 20 | 7.5 | 0,5 | 0,7 | 1.1 | - | - | 620 | SOP-8 | |
Separare | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
Separare | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
Doppio | P-Ch | -20 | -5.8 | -0,6 | -1.1 | -1.7 | 40 | 65 | 625 | SOP-8 | |
N+P | N-Cap | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
Separare | P-Ch | -30 | -65 | -1 | -1.6 | -2,5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | TO-252 |
Altri numeri di materiale del marchio corrispondenti al MOSFET WINSOK di cui sopra sono:
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WST3400S sono: AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,DMC3032LSD,DMC3016LSD.Sinopower SM2314NSA.Po decine di semiconduttori PDN3643.
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WST2316 sono: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WST3408 sono: AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA SSM3K3 33R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodi incorporati ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WST2339 sono:AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM2 335PSA.Potens Semiconduttore PDN2309S.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WST3409 sono: AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSD30L120DN56 sono: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP4406 sono: AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS G.TOSHIBA TP89 R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconduttore PDS3908.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP9926 sono: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP9926A sono: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON, IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS3810.
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WSP4435 sono: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD4465BZ, FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconduttore PDS3907.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP4407 sono: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3L LH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconduttore PDS4903.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSP4953A sono: AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL980 1.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Diodi incorporati ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
I numeri di materiale corrispondenti di WINSOK MOSFET WSP4606 sono: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semi conduttore PDS3710.
I numeri di materiale corrispondenti del MOSFET WINSOK WSF70P03 sono: AOS AOD21357,AOD403,AOD423.Onsemi,FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT PJD70 P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconduttore PDD3959.
Orario di pubblicazione: 24 novembre 2023